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芯片资料

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参考价格：￥6.7634

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RGT30NS65DGTL	封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ROHM 罗姆	ROHM
RGT30NS65D	650V 15A Field Stop Trench IGBT 文件：789.58 Kbytes Page：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30NS65A	Schottky Barrier Diode 文件：589 Kbytes Page：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30NS65A	Schottky Barrier Diode 文件：1.20801 Mbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBQ30NS65AFH	Schottky Barrier Diode 文件：1.99975 Mbytes Page：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2025-10-5 14:14:00

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RH5RI301B-T1
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2020-11-13
RGF1B-E3/67A产品规格参数资料原装正品现货
RGF1B-E3/67A产品规格参数
2020-8-26
RF片上系统 - SoC NRF51822-CEAA-R 承诺百分之百原装
Wi-Fi RF片上系统 - SoC , Bluetooth RF片上系统 - SoC , Bluetooth ARM Cortex M4 RF片上系统 - SoC , - 104 dBm Bluetooth RF片上系统 - SoC , STM32WB55CG RF片上系统 - SoC , 868 MHz RF片上系统 - SoC
2020-4-15
RH5RZ50CA-T1-FE原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-11-20
RF片上系统，ATSAMB11G18A-MU-T代理原装现货-和诺泰
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2019-8-30
RH1009-2.5V基准
描述该RH1009是通用为2.5V并联稳压器二极管设计工作在宽电流范围内，而保持与时间和温度稳定性好。该调整终端允许使用温度系数为最小化或参考电压调整不改变温度系数。因为它的运作作为一个并联稳压器可用于同样也是一个积极的或负参考。晶圆地段进行处理，凌特公司内训S级流产生电路可用在严格军事上的应用。反向击穿电流................................ 20mA的正向电流................................................ ...为10mA 工作温度范围..
2013-3-15