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WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameter

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WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Equivalent MOSFET Parameters RCE(on) typ. = 61mΩ ID (FET equivalent) = 50A Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • H

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更新时间:2026-3-15 17:10:01
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