型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RFD3055SM9A

12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such

Fairchild

仙童半导体

RFD3055SM9A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

RFD3055SM9A

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

RFD3055SM9A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFD3055SM9A

  • 功能描述

    MOSFET Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-22 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HARRIS/哈里斯
24+
NA/
3650
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onsemi(安森美)
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