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TMOS4POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TMOSIV PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SURFCOILSMTINDUCTORS

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更新时间:2025-6-6 10:38:01
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