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9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as

INTERSIL

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

RF1S630产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RF1S630

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2026-5-20 10:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROCKWELL
2023+
QFP
50000
原装现货
NULL
04+/05+
SOT-23
2530
全新原装100真实现货供应
CONEXANT
16+
QFP
821
进口原装现货/价格优势!
24+
SOT-23
2500
现货供应
CONEXANT
20+
QFP
500
样品可出,优势库存欢迎实单
INTERSIL/FSC
26+
TO-263
28610
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
ROCKWELL
24+
TQFP-48
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ROCKWELL
23+
QFP48
20000
全新原装假一赔十
CONEXANT
25+
QFP
3000
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务
HARRIS
25+
SOT-263
30000
代理全新原装现货,价格优势

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