型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as

Intersil

9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

RF1S630产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RF1S630

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2025-10-23 22:59:00
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