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丝印代码:TFS070N03N;N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The TFS070N03N uses advanced trench technology to provi de excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature VDS =30V , ID =30A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

Excellent Resistance to damage from static electricity

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ROHM

罗姆

丝印代码:TB;4V Drive Nch MOSFET

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ROHM

罗姆

更新时间:2026-3-14 23:00:01
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