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CustomerSpecification

Construction Diameters(In) 1)Component11X1BUSBAR a)Conductor18(SOLID)AWGTinnedCopper0.040 ApplicableSpecifications 1)OtherASTM-B33 CIDAA59551S18S1T

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

CustomerSpecification

Construction 1)Component11X1BUSBAR a)Conductor18(SOLID)AWGTinnedCopper0.040

ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

Commercial12mmDiameterCompositionVariableResistors

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CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

CTS

USINGTHESi3400ANDSi3401POEPDCONTROLLERSINISOLATEDANDNON-ISOLATEDDESIGNS

文件:442.29 Kbytes Page:24 Pages

SILABS

Silicon Laboratories

SILABS

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:969.33 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-5-13 13:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2025-3-26
  • REF3012AIDBZR

    原装代理

    2023-12-12
  • REF2933AIDBZT

    REF2933AIDBZT

    2023-6-5
  • REF2912AIDBZR全新原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商

    2019-8-7
  • REF3012-50ppm的/ C最大值,50uA的,采用SOT23-3 CMOS电压基准

    描述该REF30xx是一个高精度,低功耗,低电压差电压参考系列采用SOT23-3,配套。该REF30xx小尺寸和低功耗(50μA的最大值)使其非常适合于便携式和电池供电的应用。该REF30xx不需要负载电容,但稳定的任何容性负载。卸载,可以操作的REF30xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40°C至+125°C的...特征MicroSIZE包装:采用SOT23-3低压差:为1mV高输出电流:25mA高精度:0.2%低IQ:5

    2013-3-16
  • REF2912-CMOS电压基准

    描述该REF29xx是高精度,低功耗,低电压差电压参考系列采用SOT23-3,配套。该REF29xx的小尺寸和低功耗(50μA的最大值)使其非常适合于便携式和电池供电申请。该REF29xx不需要负载电容,但与任何容性负载稳定。卸载,可以操作的REF29xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40°C至+125°C的特征MicroSIZE包装:采用SOT23-3低压差:为1mV高输出电流:25mA低温漂:为100ppm/掳C最大值高

    2013-3-16