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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AHigh-Performance8-BitSliceMicroprogramSequencer GENERALDESCRIPTION TheAm29112isahighperformanceinterruptiblemicroprogramsequencerintendedforuseinveryhighspeedmicroprogrammedmachinesandoptimizedforthenewstate-of-the-artALUsandotherprocessingcomponents.TheAm29112isdesignedtooperatein10MHzmicroprogrammedsys | AMDAdvanced Micro Devices 超威半导体美国超威半导体公司 |  |   | |
DenseWaveDivisionMultiplexing(DWDM) 文件：67.48 Kbytes Page：2 Pages | EMCORE Emcore Corporation |  | | |
70MHzCenterFrequency 文件：101.79 Kbytes Page：3 Pages | KR KR Electronics, Inc. |  | | |
70MHzCenterFrequency 文件：101.79 Kbytes Page：3 Pages | KR KR Electronics, Inc. | | | |
70MHzBandpassFilter 文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages | KR KR Electronics, Inc. | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADVANCED MICRO DEVICES |
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REF3012AIDBZR
原装代理
2023-12-12REF2933AIDBZT
REF2933AIDBZT
2023-6-5REF2912AIDBZR全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-8-7REF3012-50ppm的/ C最大值，50uA的，采用SOT23-3 CMOS电压基准
描述该REF30xx是一个高精度，低功耗，低电压差电压参考系列采用SOT23-3，配套。该REF30xx小尺寸和低功耗（50μA的最大值）使其非常适合于便携式和电池供电的应用。该REF30xx不需要负载电容，但稳定的任何容性负载。卸载，可以操作的REF30xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40°C至+125°C的...特征MicroSIZE包装：采用SOT23-3低压差：为1mV高输出电流：25mA高精度：0.2％低IQ：5
2013-3-16REF2912-CMOS电压基准
描述该REF29xx是高精度，低功耗，低电压差电压参考系列采用SOT23-3，配套。该REF29xx的小尺寸和低功耗（50μA的最大值）使其非常适合于便携式和电池供电申请。该REF29xx不需要负载电容，但与任何容性负载稳定。卸载，可以操作的REF29xx内具用品1mV的输出电压。所有型号均指定为广泛温度范围-40°C至+125°C的特征MicroSIZE包装：采用SOT23-3低压差：为1mV高输出电流：25mA低温漂：为100ppm/掳C最大值高
2013-3-16REF25Z-电压基准
描述该REF25Z和REF25D使用集成电路带隙的原则，提供精确稳定的参考电压，无需外部2.5V的塑造电容。有两种封装选择：REF25Z在塑料3引脚TO-92，并在微型表面REF25D安装封装（MP8）。这些提法的特点推荐工作电流作者：60mA的至5mA这使它们非常适于各种低功耗和电池的应用。DS2428-2.2特征低膝关节电流-通常是40微安为电池供电的理想-150微瓦内部形REF25Z-3脚TO-92塑料封装REF25D-微型表面贴装塑料封装（MP8
2013-3-16
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