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Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs200W,1930-1990MHz

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs

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更新时间:2024-4-24 17:56:01
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    2023-4-11
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    2022-4-20
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    2019-8-30
  • REF191-精密微功耗,低压差,电压基准...

    概述REF19x系列精密带隙电压基准使用专利温度漂移曲率校正电路和激光高度稳定的薄膜电阻,微调,实现了非常低温度系数和高初始精度。该系列微REF19x,低压差仪(LDV)设备从供应商提供一个稳定的输出电压低至100毫伏以上的输出电压和减少消费超过45mA的电源电流。在睡眠模式,这是启用采用TTL或CMOS低级别的睡眠引脚时,输出关闭电源电流进一步减少到超过15毫安。该REF19x系列参考在扩展工业温度范围(-40°C至+85°C)的典型性能规格在-40°C的应用至+125°C如汽车。所有电气成绩在8引脚SOIC封装;的PDIP和TSSOP封装仅在最低电

    2013-3-16
  • REF12D-电压基准

    描述该REF12Z和REF12D使用集成电路带隙的原则,提供精确稳定的参考电压1.26V。有两种方案可供选择:REF12Z在塑料3引脚TO-92和一个微型REF12D表面贴装封装(MP8)。这些提法的特点推荐工作电流至2.5mA的90mA的这使它们非常适于各种低功耗和电池的应用。DS2475-2.1特征低膝关节电流-通常是80微安为电池供电的理想-113微瓦REF12Z-3脚TO-92塑料封装REF12D-微型表面贴装塑料封装

    2013-3-16
  • REF200-双电流源/电流源

    描述该REF200建设相结合的短路块在一块单片芯片两个100mA的电流源和电流镜。这几节介质隔离,使他们完全独立。此外,由于电流源twoterminal设备,它们同样也可以用来作为当前汇。每一节的表现个别测量和激光微调来实现高精确度,成本低。该段可引脚对电流为50mA短缺,为100mA,200mA的的300mA或400mA的。外部电路可以用来获取几乎任何电流。这些和许多其他的电路技术,列载于应用节本数据手册。在塑料的REF200是8引脚小型DIP可用和SOIC封装。特征升完全漂浮:无电源或接地连接l高精确度:±0.5%

    2013-2-22