型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RDD020N60

10V Drive Nch MOSFET

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ROHM

罗姆

RDD020N60

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

ROHM

罗姆

NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET

Description The NCEAP020N60GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for

NCEPOWER

新洁能

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

10V Drive Nch MOSFET

文件:1.15785 Mbytes Page:6 Pages

ROHM

罗姆

RDD020N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RDD020N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
24+
NA/
4821
原厂直销,现货供应,账期支持!
VBsemi
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TO252-3
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ROHM/罗姆
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TO252
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只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!
VBsemi/台湾微碧
23+
TO252
30000
代理全新原装现货,价格优势
ROHM
SMDDIP
185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
R
25+
TO-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ROHM/罗姆
23+
CPT3
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ROHM/罗姆
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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23+
TO-252
6000
原装正品,支持实单
ROHM
2016+
TO-252
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

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