型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RDD020N60

10VDriveNchMOSFET

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
RDD020N60

PowerMOSFET

文件:1.0762 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NCEAutomotiveN-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET

Description TheNCEAP020N60GUusesSuperTrenchIItechnologythatis uniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequency switchingperformance.Bothconductionandswitchingpower lossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationof RDS(ON)andQg.Thisdeviceisidealfor

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER

PowerMOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

10VDriveNchMOSFET

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RDD020N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RDD020N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-6-28 11:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
R
24+
TO252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ROHM/罗姆
23+
CPT3
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ROHM
2016+
TO-252
6523
只做进口原装现货!假一赔十!
ROHM
SMDDIP
185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
24+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ROHM/罗姆
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
R
22+
TO-252
6000
十年配单,只做原装
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
VBsemi
21+
TO252-3
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
R
22+
TO-252
25000
只做原装进口现货,专注配单

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