| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters | IRF |   | ||
Decade and Binary Counters 文件：133.7 Kbytes Page：10 Pages | NSC 国半 | | ||
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DECADE, DIVIDE-BY-TWELVE AND BINARY COUNTERS 文件：414.2 Kbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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更新时间：2026-3-15 17:48:01
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