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RD70HVF1C

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD70HVF1C

MITSUBISHI

三菱电机

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz70W 520MHz,50W

DESCRIPTION RD70HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>70W, Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz Pout>50W, Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 60typ.on VHF Band H

MITSUBISHI

三菱电机

更新时间:2026-3-15 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
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CERAMIC
11000
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