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RD35HUF2

Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 530MHz, 35W

DESCRIPTION RD35HUF2 is MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications. FEATURES 1. Supply with Tape and Reel. 500 Units per Reel. 2. Employing Mold Package 3. High Power and High Efficiency Pout=43Wtyp, Drain Effi.=60typ @ Vds=12.5V Idq=

MITSUBISHI

三菱电机

RD35HUF2

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD35HUF2

MITSUBISHI

三菱电机

RD35HUF2产品属性

  • 类型

    描述

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Freqency:

    175 / 530MHz

  • Output Power (Min):

    45 / 43(typ)W

  • Package:

    HPM

  • Input Power (Typ):

    3W

  • Drain Efficiency (Min):

    72 / 60(typ)%

  • Feature:

    built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

更新时间:2026-8-1 18:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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