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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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RD30HVF1 | Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60typ. | Mitsubishi 三菱电机 |   | |
RD30HVF1 | Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：339.93 Kbytes Page：8 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | |
RD30HVF1 | RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：537.62 Kbytes Page：9 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | |
RD30HVF1 | High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD30HVF1 | Mitsubishi 三菱电机 | | |
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W DESCRIPTION RD30HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz High Efficiency: 60typ. | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：339.93 Kbytes Page：8 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W 文件：537.62 Kbytes Page：9 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | |
RD30HVF1产品属性
- 类型
描述
- 型号
RD30HVF1
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
23+ |
假一赔十 |
1029 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
MITSUBI |
25+ |
高频管 |
7899 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
MIT |
23+ |
SOT-89 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
MITSUBISH |
25+ |
Ceramic |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
MISUBISHI |
2023+ |
DQ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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2019-1-9
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