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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IntelStrataFlashEmbeddedMemory Introduction ThisdocumentprovidesinformationabouttheIntelStrataFlash®EmbeddedMemory(P30)deviceanddescribesitsfeatures,operation,andspecifications. ProductFeatures ■Highperformance —85/88nsinitialaccess —40MHzwithzerowaitstates,20nsclock-todataoutput | IntelIntel Corporation 英特尔 |  |   | |
NumonyxStrataFlashEmbeddedMemory 文件：1.39934 Mbytes Page：99 Pages | NUMONYX numonyx |  | | |
封装/外壳：64-TBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 集成电路（IC） 存储器 | ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司 |  | | |
封装/外壳：64-TBGA 包装：托盘 描述：IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA 集成电路（IC） 存储器 | ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司 | | |
RC28F640P30T产品属性
- 类型
描述
- 型号
RC28F640P30T
- 功能描述
IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
StrataFlash™
- 产品变化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 标准包装
136
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步，DDR II
- 存储容量
18M（1M x 18）
- 速度
200MHz
- 接口
并联
- 电源电压
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
165-TBGA
- 供应商设备封装
165-CABGA（13x15）
- 包装
托盘
- 其它名称
71P71804S200BQ
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTEL |
2016+ |
BGA-64D |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
BGA-64D |
24+ |
INTEL |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INTEL |
23+ |
BGA-64D |
50000 |
只做原装正品 |
|||
INTEL |
BGA |
6 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
INTEL |
23+ |
BGA |
6 |
原装正品现货 |
|||
Micron |
1844+ |
BGA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
INTEL |
24+ |
BGA |
23000 |
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|||
INTEL |
25+23+ |
BGA |
12218 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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INTEL/英特尔 |
2404+ |
BGA |
3300 |
现货正品原装,假一赔十 |
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Micron |
17+ |
6200 |
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