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Power Transistors

Power Transistors TO-3 Case (Continued)

Central

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC=4A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in audio frequency power amplif

ISC

无锡固电

Terminals suitable for soldering or bolt connection

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OHMITE

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OHMITE

更新时间:2025-10-24 18:26:01
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