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R6509KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6509KND3

650V 9A TO-252, 高速开关规格 功率MOSFET

ROHM

罗姆

R6509KND3

Nch 650V 9A Power MOSFET

文件:2.27633 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2026-1-1 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROCKWELL
25+
DIP
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原厂直接发货进口原装
NTEElectronics-Inc.
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