| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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R6507KND3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.67Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
R6507KND3 | 650V 7A TO-252, 高速开关规格 功率MOSFET | ROHM 罗姆 | | |
R6507KND3 | Nch 650V 7A Power MOSFET 文件：2.20149 Mbytes Page：14 Pages | ROHM 罗姆 | |
更新时间：2026-1-5 16:38:00
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