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R6020JNZ4

Nch 600V 20A Power MOSFET

Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching applications

ROHM

罗姆

R6020JNZ4

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6020JNZ4

Nch 600V 20A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

更新时间:2025-9-23 17:28:00
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