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R6011KND3

Nch 600V 11A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

ROHM

罗姆

R6011KND3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6011KND3

Nch 600V 11A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

更新时间:2025-10-4 23:00:00
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