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R6010MND3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6010MND3

Nch 600V 10A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

R6010MND3

Nch 600V 10A Power MOSFET

文件:2.21932 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2026-1-2 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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