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R6009END3

Nch 600V 9A Power MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching

ROHM

罗姆

R6009END3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.54Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6009END3

Nch 600V 9A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

更新时间:2025-10-5 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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