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R6008MND3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.61Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6008MND3

Nch 600V 8A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

R6008MND3

丝印代码:TL;Nch 600V 8A Power MOSFET

文件:2.24473 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2026-3-15 15:01:00
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