| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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R6006KND3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.83Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 |   | |
R6006KND3 | Nch 600V 6A 功率MOSFET | ROHM 罗姆 | | |
R6006KND3 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.08 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
更新时间：2025-12-24 16:50:00
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