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R6004END3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.98Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

R6004END3

Nch 600V 4A 功率MOSFET

ROHM

罗姆

R6004END3

Nch 600V 4A Power MOSFET

文件:2.20676 Mbytes Page:16 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2025-11-18 11:06:00
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