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N-channeldual-gateMOS-FET

DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsource andsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •VHFa

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.  

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners)

●ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.  

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

L638xEapplicationguide

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-5-31 23:01:01
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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