| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VoltageResonanceInverterSwitchingApplication VoltageResonanceInverterSwitchingApplication •Fifth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.41μs(typ.)(IC=40A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.8V(typ.)(IC=40A) •FRDincludedbetweenemitterandcollector | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
SiliconNChannelIEGTVoltageResonanceInverterSwitchingApplication 文件：157.94 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2020+ |
TO-3P |
80000 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO3P |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
2022 |
TO-3P |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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