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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

Description Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels

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N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS

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更新时间:2026-5-18 18:03:01
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