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位置：首页 > IC中文资料第2258页 > QRB1113

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
QRB1113

PHOTOTRANSISTORREFLECTIVEOBJECTSENSOR

DESCRIPTION TheQRB1113/1114consistsofaninfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistormountedsidebysideonaconvergingopticalaxisinablackplastichousing.Thephototransistorrespondstoradiationfromtheemittingdiodeonlywhenareflectiveobjectpasseswithinits

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
QRB1113

REFLECTIVEOBJECTSENSORS

文件：146.69 Kbytes Page：2 Pages

QT

QT Brightek (QTB)

QT
QRB1113

封装/外壳：PCB 安装 包装：盒 描述：SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB 传感器，变送器 光学传感器 - 反射式 - 模拟输出

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
ADPA1113

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADPA1113AEJZ

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADPA1113-EVALZ

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
A1113RW

Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters

文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

MPD
ADS1113

Ultra-Small,Low-Power,16-BitAnalog-to-DigitalConverterwithInternalReference

文件：789.44 Kbytes Page：34 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

QRB1113产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    QRB1113

  • 功能描述

    光学开关（反射型，光电晶体管输出） REFLECTIVE SENSOR

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 感应距离

    1 mm

  • 输出设备

    Phototransistor 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    30 V

  • 最大集电极电流

    20 mA

  • 正向电压

    1.2 V

  • 反向电压

    5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 25 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

QRB1113供应商更多...

更新时间：2024-5-11 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市弘为电子有限公司
QRB1114
FS
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QRB1113
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