| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMosfetTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
L111 |
24+ |
NA/ |
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UTC |
2024 |
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2020-8-25
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