| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching ap | UTC 友顺 |   | ||
isc N-Channel Mosfet Transistor ·FEA TURES ·Drain Current –ID= 7.5A@TC=25℃ ·Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-SourceOn-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed for high effi | ISC 无锡固电 | | ||
7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：217.21 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：473.72 Kbytes Page：7 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | | ||
8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：879.04 Kbytes Page：12 Pages | WXDH 东海半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-8-25
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