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QPD1025LEVB1

1800 W, 65 V, 0.96 ??1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

Key Features Frequency: 0.96 to 1.215 GHz Output Power (P3dB)1: 1862 W Linear Gain1: 22.5 dB Typical PAE3dB 1: 77.2 Operating Voltage: 65 V CW and Pulse capable

QORVO

威讯联合

QPD1025LEVB1

1800 W, 65 V, 0.96 ??1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

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QORVO

威讯联合

QPD1025LEVB1

1500 W, 65 V, 1.0 ??1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

文件:1.43879 Mbytes Page:18 Pages

TriQuint

更新时间:2025-12-16 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Qorvo(威讯联合)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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