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QPD1018S2

500W, 50V, 2.7 – 3.1 GHz, GaN RF IMFET

Key Features • Frequency: 2.7 to 3.1 GHz • Output Power (P3dB)1: 575 W • Linear Gain1: 17.7 dB • Typical PAE3dB 1: 67.9 • Operating Voltage: 50 V • Low thermal resistance package • Pulse capable

QORVO

威讯联合

QPD1018S2

500W, 50V, 2.7 ??3.1 GHz, GaN RF IMFET

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TriQuint

更新时间:2025-12-18 16:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
QualtekElectronicsCorp.
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