| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
QM04N65B | N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.10072 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
MOSFET650V,4AN-CHANNEL FEATURE •RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V •HighCurrentRating •LowerCapacitance •LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION •Adaptor •Charger •SMPSStandbyPower | AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.97664 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UIBQ |
23+ |
TO263 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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23+ |
TO-252 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
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UBIQ |
23+ |
TO-252 |
7566 |
原厂原装 |
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69UBIQ |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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UIBQ |
20+ |
TO263 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
69UBIQ |
22+ |
TO-263 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
UIBQ |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
UBIQ |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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UBIQ/力祥半导体 |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
UBIQ |
2020+ |
TO-252 |
39150 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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2019-3-3
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