| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
原装 |
最新 |
TO-3P |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
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NTE |
23+ |
65480 |
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NTE |
23+ |
TO-3 |
39250 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
26+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
SANYO/三洋 |
24+ |
TO-3P |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
SANYO |
24+ |
TO-3P |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NTE ELECTRONICS INC |
2023+ |
SMD |
11270 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
|||
OTAX |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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2019-3-7
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