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7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC8N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingap

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMosfetTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements ·DESCRITION ·Designedforhigheffi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

7.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-CHANNELPOWERMOSFET

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

8A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH
更新时间:2025-7-23 23:00:01
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