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F2013中文资料

厂家型号

F2013

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

F2013数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

20Watts Gemini Package Style AK

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

F2013产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F2013

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-10-12 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
POLYFET
24+
10
POLYFET
23+
高频管
550
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POLYFET
24+
172
现货供应
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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TO220-5
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美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现
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