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General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Fi enhance broadband performance
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
20Watts Single Ended Package Style AP
F1069产品属性
- 类型
描述
- 型号
F1069
- 制造商
POLYFET
- 制造商全称
Polyfet RF Devices
- 功能描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
更新时间：2026-7-23 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
POLYFET |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
POLYFET |
26+ |
300 |
现货供应 |
||||
TE |
2026+ |
SMT |
300000 |
济德91T0-10394替代F10693-000 |
|||
TE |
2026+ |
SMT |
300000 |
济德91T0-10394替代F10693-000 |
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