位置:F1069 > F1069详情

F1069中文资料

厂家型号

F1069

文件大小

36.3Kbytes

页面数量

2

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

POLYFET

F1069数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Fi enhance broadband performance

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

20Watts Single Ended Package Style AP

F1069产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F1069

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2026-5-14 17:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
300
现货供应
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
POLYFET
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
POLYFET
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
POLYFET
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TE
2026+
SMT
300000
济德91T0-10394替代F10693-000
TE
2026+
SMT
300000
济德91T0-10394替代F10693-000
SOSHIN
15+ROHS
SMD
244000
一级质量保证长期稳定提供货优价美
26+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
南京国博
2450+
QFN
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!