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F1060中文资料

厂家型号

F1060

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2

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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简称

POLYFET

生产厂商

Polyfet RF Devices

中文名称

官网

LOGO

F1060数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AP

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

更新时间:2025-7-30 16:32:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
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现货供应
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Polyfet RF Devices

中文资料: 367条

POLYFET自1988年以来专注于大功率RF MOSFET射频晶体管的开发和生产。其产品包括LDMOS(横向扩散MOSFET晶体管)和VDMOS(垂直扩散MOSFET晶体管)两大类。公司位于美国南加州,距离洛杉矶约一小时车程,凭借高品质产品、快速交货和卓越的客户服务,POLYFET帮助客户选择合适的晶体管,成功设计并应用于功率放大器,取得了显著的业绩。 POLYFET的产品广泛应用于通信行业的各个领域,包括通信电台、移动通信和寻呼基站、MRI成像仪、广播电视FM/TV发射设备以及激光驱动器等。其产品的使用寿命超过15年,为设备的稳定性和可靠性提供了强有力的保障。 此外,POLYFET还为使用