位置:F1060 > F1060详情

F1060中文资料

厂家型号

F1060

文件大小

38.16Kbytes

页面数量

2

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

POLYFET

F1060数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AP

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

更新时间:2025-10-10 18:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
300
现货供应
POLYFET
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
POLYFET
23+
TO-57-8
1080
专营高频管模块,全新原装!
POLYFET
24+
TO-57-8
9630
我们只做原装正品现货!量大价优!
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
Description
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FEESCAL
2447
QFP64
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST/意法
24+
TO-220F
5070
全新原装,价格优势,原厂原包
ST
24+
TO-220F
200000
原装进口正口,支持样品
ST
25+
原厂原封
16900
原装,请咨询
ST
2511
原厂原封
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价