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F1060中文资料

厂家型号

F1060

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

F1060数据手册规格书PDF详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AP

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

更新时间:2026-8-3 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
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