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PHB60N06T中文资料

厂家型号

PHB60N06T

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8

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB60N06T数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

更新时间:2025-12-15 10:16:00
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