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PHB55N03数据手册规格书PDF详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• ’Trench’technology
• Very low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
• Logic level compatible
Applications:-
• High frequency computer motherboard d.c. to d.c. converters
• High current switching
PHB55N03产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHB55N03
- 功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-12-16 16:18:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
TO-263 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
PHI |
25+ |
TO-263 |
157 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
PHI |
23+ |
TO263 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
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PHI |
22+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
PHI |
25+ |
2800 |
原装现货!可长期供货! |
||||
PHI |
24+ |
TO-263 |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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PHI |
2023+ |
TO-263 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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PHI |
2025+ |
TO-263-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
PHI |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
|||
PHI |
24+ |
TO-263 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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