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IRF530N中文资料

厂家型号

IRF530N

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97.02Kbytes

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7

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

MOSFET TO-220AB N-Ch Power

数据手册

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生产厂商

PHI

IRF530N数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The IRF530N is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

1. ’Trench’technology

2. Low on-state resistance

3. Fast switching

4. Low thermal resistance

IRF530N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF530N

  • 功能描述

    MOSFET TO-220AB N-Ch Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-2 16:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
TO-220
65214
场效应管(MOSFET) 70W 100 反向传输电容(Crss):19pF 输入电容(Ciss):920pF@25V 功率耗散(Pd):70W 栅源电压(Vgs):±20V 工作温度范围:-55°C 至 + 175°C主要参数: 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):17A 导通电阻(Rds On):90mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs (th)):4V@250μA 栅极电荷(Qg):37nC 反向传输电容(Crss):19pF 输入电容(Ciss):920pF@25V 功率耗散(Pd):70W 栅源电压(Vgs):±20V 工作温度范围:-55°C 至 + 175°C
IR
13+
TO-220
10000
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRF530NPBF 欢迎咨询洽谈。
IR
24+
TO-263
8816
保证进口原装现货假一赔十
IR
25+
TO-263
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
0829+
TO220
50000
深圳现货
INFINEON
22+
TO-263-2
800
原装正品可支持验货,欢迎咨询
23+
NA
12328
原装正品价格优惠,长期优势供应
Infineon(英飞凌)
24+/25+
TO-220(TO-220-3)
5996
100%原装正品真实库存,支持实单
IR
24+
TO-220AB
10000
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买
IR
24+
TO-220
20000
原装正品现货

IRF530NSTRRPBF 价格

参考价格:¥4.5114

型号:IRF530NSTRRPBF 品牌:IR 备注:这里有IRF530N多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF530N批发/采购报价,IRF530N行情走势销售排排榜,IRF530N报价。