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Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
IRF530L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF530L
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IRF |
2020+ |
DIP |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
4569 |
专业优势供应 |
|||
IR |
2018+ |
TO262 |
6528 |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
|||
VISHAY |
1503+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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International Rectifier
中文资料: 32033条
International Rectifier Corporation（简称IRF）是一家全球领先的功率半导体制造商，成立于1947年，总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名，提供多种类型的整流二极管，包括肖特基二极管和超快恢复二极管，同时还开发IGBT（绝缘栅双极晶体管）和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉，并于2014年被英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）收购，这一收购旨在增强英飞凌在
