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LNA2W01L中文资料
LNA2W01L数据手册规格书PDF详情
GaAs Infrared Light Emitting Diode
For optical control systems
Features
● High-power output, high-efficiency : PO = 4.5 mW (typ.)
● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
● Infrared light emission close to monochromatic light :
λP = 950 nm (typ.)
● Narrow directivity : θ = 18 deg. (typ.)
● Ultra-miniature double ended package
LNA2W01L产品属性
- 类型
描述
- 型号
LNA2W01L
- 功能描述
光デバイス － 発光素子 － 赤外発光ダイオード
更新时间：2025-12-16 10:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFBay |
20+ |
100 |
每一片来自原厂! |
||||
rf-bay |
24+ |
模块 |
400 |
||||
RFbay |
600 |
||||||
L3 Narda-MITEQ |
25+ |
模块 SMA 连接器 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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