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LNA2904L数据手册规格书PDF详情
GaAs Infrared Light Emitting Diode
For optical control systems
Features
● High-power output, high-efficiency : Ie = 10 mW/sr (min.)
● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
● Good radiant power output linearity with respect to input current
● High center radiant intensity
● Transparent epoxy resin package
LNA2904L产品属性
- 类型
描述
- 型号
LNA2904L
- 功能描述
IR LED 950NM 20 DEG T1-3/4
- RoHS
是
- 类别
光电元件 >> 红外发射极
- 系列
-
- 标准包装
1,200
- 系列
- 电流 - DC
- 正向(If)
100mA
- 辐射强度(le)最小值@正向电流
27mW/sr @ 100mA
- 波长
940nm
- 正向电压
1.6V
- 视角
40°
- 方向
顶视图
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
径向
- 包装
带卷(TR)
更新时间：2025-12-9 15:55:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANASONIC/松下 |
23+ |
SMD |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
PANASONIC/松下 |
2450+ |
SMD |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
RFBay |
20+ |
100 |
每一片来自原厂! |
||||
rf-bay |
24+ |
模块 |
400 |
||||
RFbay |
600 |
||||||
L3 Narda-MITEQ |
25+ |
模块 SMA 连接器 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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