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PXAD184218FV-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz

Description The PXAD184218FV is a 420-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1880 MHz frequency band. Features include dual-path design, input and output matching, high gain and thermally-enhanced

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PXAD184218FV-V1-R0

封装/外壳:H-37275G-6/2 包装:卷带(TR) 描述:RFP-LD10E 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2025-12-21 11:10:00
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