| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PXAC201202FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：1.36186 Mbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 |   | |
PXAC201202FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 - 2200 MHz 文件：590.04 Kbytes Page：10 Pages | CREE 科锐 | | |
PXAC201202FC | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz | INFINEON 英飞凌 | | |
Cellular (2000 MHz to 2200 MHz) Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz ·Asymmetric Doherty design: - Main = 35 W Typ (P1dB) - Peak = 80 W Typ (P1dB)\n ·Broadband internal matching\n ·CW performance in a Doherty configuration, 1805 MHz, 28 V - Output power = 100 W P1dB - Gain = 17.3 dB at 17.8 W Avg. - Efficiency = 46% at 17.8 W Avg.\n ·CW performance in a Dohe; | INFINEON 英飞凌 | | ||
High Power RF LDMOS FET120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz The PXAC201202FC is a 120-watt LDMOS FET for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 1800 to 2200 MHz frequency band. Its asymmetric and dual-path design make it ideal for Doherty amplifier designs. It features input and output matching, and a thermally-enhanced package wit • Broadband internal input and output matching\n• Asymmetric Doherty design\n• Main: P1dB = 35 W Typ\n• Peak: P1dB = 80 W Typ\n• Broadband internal matching\n• CW performance in a Doherty configuration, 1805 MHz, 28 V\n• Output power = 100 W P1dB\n• Gain = 17.3 dB at 17.8 W Avg\n• Efficiency = 46 | MACOM | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：1.36186 Mbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
封装/外壳：H-37248-4 包装：卷带（TR） 描述：IC AMP RF LDMOS H-37248-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz 文件：1.36186 Mbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
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封装/外壳：H-37248-4 包装：卷带（TR） 描述：IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | | ||
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Single Row Terminal Blocks 文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages | EATON 伊顿 | | ||
Single Row Terminal Blocks 文件：1.88296 Mbytes Page：6 Pages | EATON 伊顿 | | ||
QUAD SPST CMOS ANALOG SWITCHES 文件：27.61 Kbytes Page：4 Pages | MAXIM 美信 | | ||
ALL DIMENSIONS IN MM [INCH] 文件：36.73 Kbytes Page：1 Pages | E-SWITCH | |
PXAC201202FC产品属性
- 类型
描述
- Matching ：
I/O
- Frequency Band min max：
1800.0MHz 2200.0MHz
- P1dB ：
120.0W
- Supply Voltage ：
28.0V
- Pout ：
16.0W
- Gain ：
17.0dB
- Test Signal ：
WCDMA
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
RFP-LD10M |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
||||
INFINEON |
14+ |
RFP-LD10M |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
1412+ |
RFP-LD10M |
362 |
||||
INFINEON |
1435+ |
SMD |
105 |
全新 发货1-2天 |
|||
INFINEON |
26+ |
原厂原封□□□ |
20000 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
H372484 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
INFINEON |
25+ |
RFP-LD10M |
6000 |
公司渠道现货 |
|||
MACOM |
最新 |
N/A |
15860 |
全新原装新到现货假一罚十特价 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON |
25+ |
RFP-LD10M |
28000 |
原装正品，可来电咨询 |
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2019-11-8PXA921/07/P原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。13008842056 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。3160836686 微信号：15096137729。13008842056
2019-10-31PXM6010/08P/CR/0709/SN原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。13008842056 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。3160836686 微信号：15096137729。13008842056
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。13008842056 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。3160836686 微信号：15096137729。13008842056
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2019-2-13
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