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PXAC201202FCV2

Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz ·Asymmetric Doherty design:  - Main = 35 W Typ (P1dB)  - Peak = 80 W Typ (P1dB)\n ·Broadband internal matching\n ·CW performance in a Doherty configuration, 1805 MHz, 28 V - Output power = 100 W P1dB - Gain = 17.3 dB at 17.8 W Avg. - Efficiency = 46% at 17.8 W Avg.\n ·CW performance in a Dohe;

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz

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PXAC201202FCV2产品属性

  • 类型

    描述

  • Matching :

    I/O

  • Frequency Band min max:

    1800.0MHz 2200.0MHz

  • P1dB :

    120.0W 

  • Supply Voltage :

    28.0V 

  • Pout :

    16.0W 

  • Gain :

    17.0dB 

  • Test Signal :

    WCDMA

更新时间:2026-8-2 10:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
26+
RFP-LD10M
46780
全新原装现货,假一赔十,支持检测
Infineon Technologies
22+
H372484
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON/英飞凌
24+
RFP-LD10M
42916
只做原装进口现货
26+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
24+
RFP-LD10M
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
-
23+
NA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
DIODES/美台
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
Pericom Saronix-eCera
25+
N/A
6843
样件支持,可原厂排单订货!
INFINEON/英飞凌
1412+
RFP-LD10M
362
Pericom Saronix-eCera
25+
N/A
6895
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

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