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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz Description The PXAD184218FV is a 420-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1880 MHz frequency band. Features include dual-path design, input and output matching, high gain and thermally-enhanced | WOLFSPEED |   | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：339.62 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz 文件：465.76 Kbytes Page：9 Pages | Cree 科锐 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。13008842056 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。3160836686 微信号：15096137729。13008842056
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