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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 500 W, 50 V, 390 ??450 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 500 W, 50 V, 390 ??450 MHz

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Cree

科锐

更新时间:2025-8-6 20:11:01
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