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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier

Belling

上海贝岭

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

Nylon Cable Clamps

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Heyco

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Designing an application board compatible with either

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-1-1 23:01:01
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    1 Output 非隔离式DC/DC转换器 , 1 Output 5 V 非隔离式DC/DC转换器 , Non-Isolated / POL 24 V 2 A 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器 , 24 V 10 mA 非隔离式DC/DC转换器 , 1 Output Non-Isolated / POL 15 V 非隔离式DC/DC转换器 , 1 Output 18 V 非隔离式DC/DC转换器

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